Samsung đã nghiên cứu MRAM trong nhiều năm và bắt đầu sản xuất hàng loạt giải pháp MRAM thương mại đầu tiên vào giữa năm 2019. Nó được chế tạo bằng quy trình FD-SOI 28nm. MRAM có dung lượng hạn chế và đây là một trong những điểm yếu của công nghệ này, nhưng nó đã được áp dụng cho các chip IoT và AI cũng như các bộ vi điều khiển do hãng NXP sản xuất. Thật trùng hợp, NXP có thể sớm thuộc sở hữu của Samsung nếu công ty tiếp tục thực hiện mua bán và sáp nhập.
Samsung hiện tại muốn MRAM trở thành một giải pháp khả thi cho nhiều phân khúc thị trường và ứng dụng hơn, chứng kiến thị trường MRAM toàn cầu dự kiến sẽ được định giá 1,2 tỷ USD vào năm 2024.
MRAM là gì và nó khác DRAM như thế nào?
MRAM là viết tắt của Magnetosensitive Random-Access Memory (tạm dịch: bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên điện từ). Trái ngược với bộ nhớ flash / DRAM trên máy tính lưu trữ dữ liệu dưới dạng điện tích, MRAM là một giải pháp sử dụng các phần tử lưu trữ từ tính bao gồm hai màng sắt từ và một rào cản mỏng để lưu trữ dữ liệu.
Trên thực tế, MRAM cực kỳ nhanh và có thể nhanh hơn eFlash tới 1.000 lần. Một phần là do MRAM không phải thực hiện chu trình xóa trước khi ghi dữ liệu mới. Nó cũng cần ít năng lượng hơn các phương tiện lưu trữ thông thường.
Mặt khác, điểm yếu lớn nhất của MRAM nằm ở dung lượng lưu trữ thấp, đây là một trong những lý do khiến nó chiếm lĩnh một thị trường ngách tương đối hẹp trên thị trường thay vì đánh vào thị trường phổ thông. Nhưng với việc Samsung hiện đang muốn MRAM thành công trong nhiều lĩnh vực hơn, công nghệ này có thể sớm được sử dụng trong các thiết bị đeo được và các thiết bị di động khác.
0967891080
