F3L420R12D3H7FBPSA1

Đây là module IGBT công suất EasyPACK™ HD3 của Infineon, được thiết kế cho các hệ thống chuyển đổi công suất công nghiệp, đặc biệt là ứng dụng điện mặt trời. Module sử dụng cấu trúc 3-level NPC1, kết hợp IGBT7 H7, diode Emitter Controlled 7 và diode SiC.

IGBT 1200V – 420A

Module có điện áp VCES 1200V và dòng collector danh định 420A. Điện áp bão hòa VCE(sat) điển hình ở 25°C là 1,48V, phù hợp với các hệ thống yêu cầu khả năng xử lý công suất lớn.

Công nghệ TRENCHSTOP™ IGBT7 H7

Sản phẩm sử dụng công nghệ TRENCHSTOP™ IGBT7 H7, được thiết kế nhằm nâng cao mật độ công suất và hiệu suất của hệ thống chuyển đổi điện.

Thiết kế module hướng đến khả năng giảm điện cảm ký sinh và nâng cao hiệu suất tổng thể của hệ thống.

Tích hợp diode SiC

Bên cạnh IGBT7 và diode Emitter Controlled 7, module còn tích hợp diode SiC, giúp hỗ trợ các ứng dụng chuyển đổi công suất yêu cầu hiệu suất cao.

Module cũng được tích hợp cảm biến nhiệt NTC, hỗ trợ giám sát nhiệt độ trong quá trình vận hành.

Thiết kế EasyPACK™ HD3

Sản phẩm sử dụng package AG-EASYHD, thuộc dòng EasyPACK™ HD3. Kích thước được Infineon công bố khoảng 112 × 65,2 mm, đồng thời trang bị chân dòng cao để hỗ trợ kết nối trong các hệ thống công suất lớn.

Ứng dụng

F3L420R12D3H7FBPSA1 được Infineon định hướng cho các ứng dụng điện mặt trời và hệ thống chuyển đổi công suất cao, đặc biệt phù hợp với các thiết kế inverter công suất lớn.

Thông số nổi bật

• Thương hiệu: Infineon Technologies
• Mã sản phẩm: F3L420R12D3H7FBPSA1
• Loại: Module IGBT công suất
• Dòng sản phẩm: EasyPACK™ HD3
• Cấu hình: 3-level NPC1
• Điện áp VCES: 1200V
• Dòng collector: 420A
• VCE(sat) điển hình: 1,48V
• Công nghệ: TRENCHSTOP™ IGBT7 H7
• Diode: Emitter Controlled 7 + SiC diode
• Cảm biến nhiệt: NTC
• Kích thước: 112 × 65,2 mm
• Package: AG-EASYHD
• Ứng dụng: Inverter điện mặt trời và chuyển đổi công suất cao

Viện Máy Tính cung cấp máy tính, linh kiện điện tử, thiết bị công nghệ cùng các dịch vụ sửa chữa, bảo hành và nâng cấp.

Hotline Viện Máy Tính: 0967891080