• 7:30 - 20:30
    Cả CN & Lễ
  • Lịch hẹn
  • TTBH gần bạn

IGBT FZ1200R16KF4 S1 EUPEC

1,450,000₫ 1,500,000₫

Có chổ đậu ô tô (Có thể mất phí)

    Cửa hàng bạn đã chọn

    Còn hàng sẵn có xem ngay lấy liền

    IGBT EUPEC Infineon FZ1200R16KF4_S1 – Khối Công Suất Single Switch 1200A 1600V

    EUPEC/Infineon FZ1200R16KF4_S1 là module IGBT công suất rất lớn có cấu trúc single switch, điện áp Collector-Emitter 1600V và dòng Collector danh định 1200A. Module tích hợp một IGBT công suất cùng diode hồi tiếp FWD, hướng tới các hệ thống biến tần, bộ truyền động motor, bộ biến đổi công suất và thiết bị công nghiệp có dòng làm việc lớn.

    Model đầy đủ cần được giữ nguyên là FZ1200R16KF4_S1, cũng có thể gặp cách viết FZ1200R16KF4-S1 hoặc FZ1200R16KF4S1 trên danh mục linh kiện. Infineon từng quản lý phiên bản này với Ordering Code SP000551104, OPN FZ1200R16KF4S1NOSA1 và package A-IHM130-2-1. Đây là một biến thể riêng, không nên tự bỏ hậu tố S1 khi tra cứu hoặc mua linh kiện thay thế.

    FZ1200R16KF4_S1 hiện là sản phẩm legacy đã ngừng sản xuất. Thông báo Product Discontinuation PD_099_15 của Infineon quy định hạn đặt hàng cuối ngày 31/03/2017 và giao hàng cuối ngày 30/09/2017. Hãng đề xuất FZ1200R17HE4 làm hướng thay thế, đồng thời lưu ý rõ rằng không phải trường hợp nào cũng có thể thay tương đương 1:1 và phải kiểm tra lại datasheet, giới hạn điện và điều kiện gate drive.

     

    Thông số kỹ thuật chính FZ1200R16KF4_S1

    • Thương hiệu: EUPEC / Infineon Technologies
    • Model: FZ1200R16KF4_S1
    • Cách viết khác: FZ1200R16KF4-S1 / FZ1200R16KF4S1
    • OPN: FZ1200R16KF4S1NOSA1
    • Ordering Code: SP000551104
    • Loại linh kiện: IGBT Power Module
    • Topology: Single Switch
    • Cấu trúc: 1 IGBT + Free Wheeling Diode
    • Kiểu dẫn: Reverse Conducting
    • Điện áp Collector-Emitter VCES: 1600V
    • Dòng Collector danh định: 1200A
    • Dòng Collector peak lặp lại tham khảo: khoảng 2400A, xung 1ms
    • Điện áp Gate-Emitter tối đa: ±20V
    • VCE(sat) điển hình tham khảo: khoảng 1,9V tại IC = 1200A, VGE = 15V, Tvj = 25°C
    • VCE(sat) tối đa tham khảo: khoảng 2,3V trong điều kiện đo tương ứng
    • Gate Threshold Voltage tham khảo: khoảng 5,2–6,4V
    • Turn-on Energy tham khảo: khoảng 230mJ tại điều kiện thử kỹ thuật
    • Turn-off Energy tham khảo: khoảng 275mJ tại điều kiện thử kỹ thuật
    • Short Circuit Withstand tham khảo: khoảng 10µs trong điều kiện quy định
    • RthJC IGBT tham khảo: khoảng 0,016K/W
    • Package chính thức: A-IHM130-2-1
    • Kiểu lắp: Module công suất bắt vít trên heatsink
    • Hậu tố S1: Biến thể electrical selection theo dữ liệu linh kiện công nghiệp lưu hành
    • Tình trạng: Discontinued / Legacy
    • Last Order: 31/03/2017
    • Last Delivery: 30/09/2017
    • Model Infineon đề xuất thay thế: FZ1200R17HE4, cần kiểm tra tương thích trước khi thay

    FZ1200R16KF4_S1 là Single-Switch IGBT công suất lớn

    FZ1200R16KF4_S1 không phải module half-bridge chứa hai IGBT và cũng không phải six-pack tích hợp sáu khóa. Module sử dụng cấu trúc single switch, tức một khóa IGBT công suất chính cùng một diode hồi tiếp mắc ngược song song.

    Trong inverter 3 pha công suất lớn, nhiều module single-switch có thể được ghép thành các khóa trên và dưới của ba nhánh U, V và W. Cấu trúc module rời giúp nhà sản xuất thiết bị bố trí busbar, cooling system và gate driver phù hợp với dòng hàng nghìn ampere.

    Nếu một FZ1200R16KF4_S1 bị chập Collector-Emitter, module thường phải được thay nguyên khối. Việc sửa chữa quan trọng hơn nằm ở quá trình tìm nguyên nhân làm IGBT hỏng như lỗi gate driver, quá dòng tải, mất dead-time, DC Bus quá áp hoặc hệ thống tản nhiệt suy giảm.

    Điện áp VCES 1600V

    Một điểm dễ nhập sai nhất của model này là voltage class. FZ1200R16KF4_S1 là IGBT 1600V, không phải model 1200V. Trong tên sản phẩm, phần “R16” tương ứng với dòng thiết bị 1600V.

    Con số 1600V là khả năng chịu điện áp Collector-Emitter của IGBT trong giới hạn kỹ thuật, không phải điện áp DC Bus định mức mà thiết bị luôn phải vận hành. Thiết kế inverter phải để đủ khoảng dự phòng cho các xung điện áp phát sinh do stray inductance khi dòng công suất lớn được đóng cắt.

    Mạch snubber, busbar, tụ DC Link và layout có ảnh hưởng trực tiếp tới overshoot trên Collector-Emitter. Nếu module cũ thường xuyên hỏng do quá áp, chỉ thay IGBT mới mà không xử lý nguyên nhân của transient có thể khiến linh kiện tiếp tục hỏng.

    Dòng Collector danh định 1200A

    Thông số nhận dạng chính thứ hai của FZ1200R16KF4_S1 là dòng Collector 1200A. Đây là mức dòng rất lớn, phù hợp với tầng công suất của drive và converter công nghiệp.

    Tuy nhiên 1200A không có nghĩa module được phép mang 1200A liên tục trong mọi điều kiện. Khả năng tải thực tế phụ thuộc nhiệt độ junction, nhiệt độ case, switching frequency, heatsink, thermal compound, quạt hoặc hệ thống làm mát và profile tải của máy.

    Dòng peak khoảng 2400A được một số dữ liệu kỹ thuật của model thể hiện trong thời gian xung rất ngắn. Không được sử dụng giá trị này làm dòng tải liên tục hoặc ghi sản phẩm là IGBT 2400A.

    Diode FWD tích hợp trong module

    FZ1200R16KF4_S1 thuộc loại reverse conducting, tích hợp Free Wheeling Diode – FWD song song ngược với IGBT. Diode này đặc biệt quan trọng trong ứng dụng điều khiển motor và tải cảm.

    Khi IGBT tắt, dòng qua cuộn dây motor không thể giảm về 0 ngay lập tức. FWD tạo đường dẫn cho dòng hồi tiếp trong giai đoạn chuyển mạch, giúp mạch inverter xử lý năng lượng của tải cảm.

    Khi kiểm tra module cần đo cả IGBT và diode FWD. Trường hợp diode bị short có thể làm nhánh công suất xuất hiện trở kháng thấp dù Gate không nhận xung. Vì vậy chỉ đo Gate hoặc chỉ kiểm tra C-E là chưa đủ để kết luận module còn tốt.

    Điện áp Gate và lưu ý khi kiểm tra driver

    Giới hạn Gate-Emitter của module được ghi nhận ở mức khoảng ±20V. Đây là maximum rating của lớp gate oxide, không phải mức điện áp nên áp tùy ý trong vận hành.

    Các điều kiện thử kỹ thuật thường sử dụng mức Gate ON khoảng +15V. Điện áp VGE(th) khoảng 5,2–6,4V chỉ là ngưỡng IGBT bắt đầu dẫn một dòng nhỏ trong phép đo, không phải điện áp gate phù hợp để điều khiển đầy tải 1200A.

    Khi FZ1200R16KF4_S1 bị nổ hoặc short, phải đo nguồn Gate Driver trước khi lắp module mới. Driver quá áp, nguồn âm bất thường, điện trở gate cháy hoặc mất dead-time có thể phá hỏng IGBT mới gần như ngay lập tức.

    VCE(sat) và tổn hao dẫn

    Dữ liệu kỹ thuật lưu hành cho FZ1200R16KF4_S1 cho thấy VCE(sat) điển hình khoảng 1,9V tại IC = 1200A, VGE = 15V và nhiệt độ junction 25°C, với giá trị tối đa khoảng 2,3V trong điều kiện thử tương ứng.

    VCE(sat) là thông số quan trọng vì liên quan trực tiếp tới conduction loss. Với dòng ở mức hàng nghìn ampere, chỉ một phần nhỏ điện áp rơi trên IGBT cũng tạo ra lượng nhiệt đáng kể.

    Vì vậy heatsink và đường truyền nhiệt của module phải được duy trì tốt. Thermal compound đã khô hoặc bề mặt lắp không phẳng có thể làm nhiệt độ junction tăng nhanh dù dòng điện chưa vượt giới hạn thiết kế.

    Package A-IHM130-2-1

    Thông báo vòng đời chính thức của Infineon xác nhận FZ1200R16KF4_S1 sử dụng package A-IHM130-2-1. Đây là một thông số quan trọng hơn nhiều so với chỉ so sánh 1600V và 1200A khi tìm IGBT thay thế.

    Package quyết định vị trí terminal Collector, Emitter, Gate, auxiliary emitter, các điểm bắt vít và giao diện cơ khí với busbar/heatsink. Một IGBT mới có điện áp và dòng lớn hơn nhưng package khác không thể mặc định là linh kiện thay thế trực tiếp.

    Khi tháo module nên đánh dấu toàn bộ busbar và dây Gate trước khi di chuyển. Đấu nhầm Gate, Emitter phụ hoặc terminal công suất có thể gây hư hỏng nghiêm trọng khi cấp nguồn thử.

    Ý nghĩa hậu tố S1

    FZ1200R16KF4_S1 và FZ1200R16KF4 được Infineon liệt kê thành hai ordering item riêng. OPN của bản S1 là FZ1200R16KF4S1NOSA1, trong khi bản thường sử dụng FZ1200R16KF4NOSA1.

    Một số dữ liệu công nghiệp cũ mô tả S1 thuộc nhóm electrical selection. Vì vậy không nên xóa S1 khỏi tên sản phẩm hoặc coi đây chỉ là cách viết thừa. Nếu thiết bị ban đầu dùng đúng FZ1200R16KF4_S1, linh kiện thay thế cần được kiểm tra theo đúng specification của bản S1.

    Tình trạng vòng đời FZ1200R16KF4_S1

    Infineon đã đưa FZ1200R16KF4_S1 vào thông báo Product Discontinuation PD_099_15. Lý do hãng nêu là nhu cầu đối với nhóm IHM cũ đã rất thấp và tiếp tục giảm, khiến việc duy trì sản phẩm trong portfolio không còn kinh tế.

    • Last Order: 31/03/2017
    • Last Delivery: 30/09/2017
    • Trạng thái hiện nay: Legacy / Discontinued

    Do đó các FZ1200R16KF4_S1 được bán “mới” hiện nay thường thuộc nhóm NOS – New Old Stock hoặc tồn kho chưa sử dụng. Khi mua cần chú ý marking, date code, chân terminal, dấu hiệu tháo lắp và tình trạng baseplate.

    Model Infineon đề xuất thay thế FZ1200R17HE4

    Trong thông báo ngừng sản xuất, Infineon đề xuất FZ1200R17HE4 cho FZ1200R16KF4_S1. Model thay thế có Ordering Code SP000477976, OPN FZ1200R17HE4NDSA1 và package AG-IHMB130-2-1.

    Tuy nhiên hãng cũng cảnh báo rõ rằng replacement trong bảng không bảo đảm tương đương hoàn toàn 1:1. Người sửa chữa phải kiểm tra datasheet limits và gate drive conditions trước khi chuyển đổi.

    Điều này đặc biệt quan trọng vì FZ1200R17HE4 thuộc thế hệ khác và voltage class cũng khác. Không nên chỉ thấy Infineon ghi replacement rồi tháo module cũ và lắp trực tiếp nếu chưa xác minh busbar, driver, switching behavior, cooling và đặc tính bảo vệ của thiết bị.

    Ứng dụng của FZ1200R16KF4_S1

    Biến tần công suất lớn

    Module single-switch 1200A/1600V phù hợp với tầng nghịch lưu của các biến tần công nghiệp có công suất và dòng motor lớn.

    Motor Drive

    Nhiều module có thể được kết hợp thành cầu inverter để điều khiển tốc độ và mô-men của động cơ AC trong máy công nghiệp.

    Bộ chuyển đổi công suất

    Topology single switch còn phù hợp với các converter hoặc chopper sử dụng khóa semiconductor dòng lớn, tùy theo thiết kế cụ thể.

    Hệ thống truyền động legacy

    Do model đã ngừng sản xuất từ lâu, nhu cầu hiện tại chủ yếu liên quan bảo trì và duy trì các hệ thống công nghiệp cũ vẫn đang sử dụng nền tảng IHM của EUPEC/Infineon.

    Những lỗi FZ1200R16KF4_S1 có thể gặp

    Các tình trạng dưới đây là những sự cố có thể xảy ra ở module IGBT công suất hoặc các mạch xung quanh do quá dòng, quá áp, lỗi Gate Driver, tải chập, tản nhiệt kém hoặc lão hóa. Đây không phải khẳng định FZ1200R16KF4_S1 có lỗi thiết kế.

    IGBT chập Collector-Emitter

    Khi C-E bị short, DC Bus có thể xuất hiện dòng rất lớn. Fuse hoặc breaker có thể tác động, hoặc drive báo lỗi công suất ngay khi enable.

    Gate-Emitter bị chập

    Gate oxide bị phá hỏng có thể tạo trở kháng thấp giữa Gate và Emitter. Cần kiểm tra cả Gate Driver vì sự cố IGBT có thể kéo theo hỏng mạch điều khiển.

    Diode FWD bị chập

    Diode hồi tiếp hỏng có thể tạo đường dẫn bất thường trên nhánh công suất. Phải đo diode riêng, không chỉ kiểm tra junction IGBT.

    Drive báo quá dòng

    Nguyên nhân có thể nằm ở motor, cáp motor, tải cơ khí, current sensor, driver hoặc IGBT. Không nên thay FZ1200R16KF4_S1 chỉ dựa vào một mã lỗi overcurrent.

    Module nóng bất thường

    Kiểm tra quạt, heatsink, hệ thống làm mát, thermal compound, dòng tải và switching waveform. Tản nhiệt suy giảm là nguyên nhân quan trọng đối với module dòng 1200A.

    IGBT mới thay bị nổ ngay

    Trường hợp này thường cần kiểm tra Gate Driver, dead-time, snubber, DC Bus, motor và diode liên quan. Thay tiếp module mà chưa tìm nguyên nhân có nguy cơ làm hỏng linh kiện mới.

    Quy trình khoanh vùng sự cố FZ1200R16KF4_S1

    • Bước 1: xác nhận đầy đủ marking FZ1200R16KF4_S1.
    • Bước 2: ngắt nguồn và chờ tụ DC Bus xả điện hoàn toàn.
    • Bước 3: đo xác nhận điện áp DC Bus đã xuống mức an toàn.
    • Bước 4: xác định Collector, Emitter, Gate và auxiliary terminal đúng sơ đồ.
    • Bước 5: kiểm tra C-E để phát hiện short.
    • Bước 6: kiểm tra Gate-Emitter có chập hoặc rò.
    • Bước 7: kiểm tra Free Wheeling Diode theo hai chiều.
    • Bước 8: kiểm tra Gate Driver và nguồn Gate.
    • Bước 9: kiểm tra điện trở Gate và mạch cách ly.
    • Bước 10: kiểm tra tụ DC Link và snubber.
    • Bước 11: kiểm tra current sensor và protection circuit.
    • Bước 12: đo cách điện motor và cáp motor.
    • Bước 13: kiểm tra heatsink, quạt và vật liệu truyền nhiệt trước khi lắp module mới.

    Những hạng mục có thể cần kiểm tra, sửa chữa hoặc thay thế

    • FZ1200R16KF4_S1: thay khi IGBT hoặc diode nội bộ đã chập hoặc suy giảm.
    • Gate Driver: kiểm tra điện áp và dạng xung điều khiển.
    • Gate Resistor: kiểm tra cháy, đứt hoặc thay đổi trị số.
    • Driver Isolation: kiểm tra optocoupler, transformer hoặc mạch cách ly tương ứng.
    • Snubber: kiểm tra khi có overshoot điện áp lớn.
    • DC Link Capacitor: kiểm tra ESR, ripple và tình trạng cơ khí.
    • Current Sensor: kiểm tra khi drive báo quá dòng bất thường.
    • Busbar: kiểm tra lỏng, cháy hoặc phóng điện.
    • Heatsink: vệ sinh và kiểm tra bề mặt tiếp xúc.
    • Thermal Compound: thay mới khi tháo module khỏi heatsink.
    • Cooling Fan: kiểm tra tốc độ và lưu lượng gió.
    • Motor và cáp motor: loại trừ short hoặc suy giảm cách điện trước khi cấp nguồn cho IGBT mới.

    Những điểm dễ nhập sai về FZ1200R16KF4_S1

    • Model đúng là FZ1200R16KF4_S1.
    • Có thể gặp cách viết FZ1200R16KF4-S1 hoặc FZ1200R16KF4S1.
    • Hãng là EUPEC / Infineon Technologies.
    • Topology là Single Switch.
    • Module tích hợp một IGBT và một diode FWD.
    • Điện áp chính xác là 1600V, không phải 1200V.
    • Dòng danh định là 1200A.
    • Peak current 2400A không phải dòng vận hành liên tục.
    • OPN chính xác của bản S1 là FZ1200R16KF4S1NOSA1.
    • Ordering Code là SP000551104.
    • Package theo Infineon là A-IHM130-2-1.
    • Bản S1 là ordering item riêng, không nên tự bỏ hậu tố.
    • Không nên diễn giải KF4 thành một tên công nghệ IGBT4 nếu không có tài liệu exact-model xác nhận.
    • Không lấy thông số của FZ1200R12KF4 vì model đó thuộc lớp 1200V.
    • Không lấy thông số của FZ1200R17HE4 để gán cho FZ1200R16KF4_S1.
    • FZ1200R17HE4 chỉ là model replacement được Infineon đề xuất và không bảo đảm thay 1:1.
    • FZ1200R16KF4_S1 đã ngừng sản xuất, Last Delivery từ năm 2017.

    FAQ – EUPEC Infineon FZ1200R16KF4_S1

    FZ1200R16KF4_S1 là IGBT bao nhiêu volt?

    Model thuộc voltage class 1600V.

    FZ1200R16KF4_S1 chịu dòng bao nhiêu?

    Dòng Collector danh định của model là 1200A.

    FZ1200R16KF4_S1 là IGBT đơn hay đôi?

    Đây là single-switch module, chứa một IGBT công suất và một diode hồi tiếp FWD.

    FZ1200R16KF4_S1 có phải module 1200V không?

    Không. Cần phân biệt 1200A là dòng, còn điện áp của FZ1200R16KF4_S1 là 1600V.

    OPN của FZ1200R16KF4_S1 là gì?

    Infineon ghi OPN FZ1200R16KF4S1NOSA1 và Ordering Code SP000551104.

    FZ1200R16KF4_S1 dùng package nào?

    Package được Infineon xác nhận là A-IHM130-2-1.

    FZ1200R16KF4 và bản S1 có hoàn toàn giống nhau không?

    Không nên coi là cùng một ordering item. Infineon liệt kê riêng FZ1200R16KF4 và FZ1200R16KF4_S1 với OPN và Ordering Code khác nhau.

    FZ1200R16KF4_S1 còn sản xuất không?

    Không. Infineon đã ngừng sản phẩm với Last Order 31/03/2017 và Last Delivery 30/09/2017.

    Model nào được Infineon đề xuất thay thế?

    Infineon liệt kê FZ1200R17HE4 làm replacement. Hãng đồng thời cảnh báo cần kiểm tra datasheet limits và gate drive vì không bảo đảm tương đương trực tiếp 1:1.

    Kiểm tra, sửa chữa FZ1200R16KF4_S1 tại Viện Máy Tính

    EUPEC/Infineon FZ1200R16KF4_S1 là IGBT module single-switch công suất lớn 1600V 1200A, tích hợp Free Wheeling Diode và sử dụng package A-IHM130-2-1. Model thuộc thế hệ IHM legacy và hiện chủ yếu xuất hiện trong hoạt động sửa chữa, bảo trì các drive và converter công nghiệp cũ.

    Khi hệ thống gặp tình trạng IGBT chập Collector-Emitter, Gate-Emitter bất thường, fuse hoặc breaker tác động, drive báo quá dòng, mất nhánh công suất, diode FWD chập hoặc module quá nhiệt, cần kiểm tra đồng thời Gate Driver, DC Bus, snubber, current sensor, motor, busbar và hệ thống làm mát trước khi thay module.

    Nếu cần kiểm tra IGBT, diode hồi tiếp, Gate Driver, điện trở Gate, DC Link, snubber, current sensor, heatsink hoặc các mạch công suất liên quan tới EUPEC Infineon FZ1200R16KF4_S1 1200A 1600V, khách hàng có thể liên hệ Trung tâm bảo hành Viện Máy Tính để được kiểm tra tình trạng, sửa chữa hoặc tư vấn phương án thay thế phù hợp.

    Hotline Viện Máy Tính: 0967891080

    Xem thêm ↓

    Cần tuyển kỹ thuật thay thế ĐT laptop PC làm tại nhà, tặng đồng phục đồ nghề trọn gói 10.000.000đ đặt lịch pv ngay không cần HS đặt lịch hẹn trên zalo hoặc ĐK nhận việc chỉ 1 Phút

    Viện máy tính nhận đào tạo học viên miễn học phí 1 kèm 1, có phụ cấp, bao ra nghề

    © 2027. Trungtambaohanh.com Thay Pin Điện Thoại Laptop, Phone PAD PC lấy liền
    Công Ty Cổ Phần Máy Tính VIỆN - GPĐKKD: 0305916372 do sở KHĐT TP.HCM cấp ngày 18/07/2008 ĐT: 028.3844.2008