Tất cả được gói gọn trong bài phát biểu của Andy Hsu – Giám đốc điều hành của NEO Semiconductor, về công nghệ đã nhận được Giải thưởng xuất sắc nhất cho Kiến trúc phần cứng và Startup bộ nhớ flash sáng tạo nhất sau khi trình bày kiến trúc flash X-NAND của công ty mình.
Lần đầu tiên được tiết lộ vào năm 2018, X-NAND tuyên bố nhanh hơn gấp ba lần so với flash QLC ở tốc độ đọc và ghi ngẫu nhiên và nhanh hơn tới 27 lần ở tốc độ đọc tuần tự. Nó cũng nhỏ hơn nhiều, chỉ bằng 37% kích thước của 1 cell nhớ 16-layer tiêu chuẩn.
Các ổ SSD giá rẻ hiện tại sử dụng kết hợp giữa QLC và SLC để giữ tốc độ đọc ghi tốt cùng với dung lượng lớn. Các chip nhớ flash SLC có tốc độ đọc ghi cao và dung lượng hạn chế sẽ được dùng để làm cache. Và một khi bộ nhớ đệm SLC này đầy thì tốc độ đọc ghi của ổ sẽ giảm về mức chậm chạp của các chip QLC vốn chiếm phần lớn ổ cứng.
X-NAND không như thế, chúng sẽ luôn giữ vững tốc độ đọc ghi mọi lúc.
Hsu nói: “Kiến trúc X-NAND là một bước đột phá lớn trong thiết kế bộ nhớ flash NAND. “Từ SLC đến QLC, dung lượng flash NAND của mỗi thế hệ đã phát triển lớn hơn và chi phí trở nên rẻ hơn, nhưng tốc độ của nó cũng trở nên chậm hơn đáng kể. Việc nghẽn cổ chai từ các chip QLC NAND ngăn cản việc sử dụng nó trong các ứng dụng yêu cầu tốc độ đọc ghi cao. Kiến trúc X-NAND của chúng tôi giải quyết nút thắt cổ chai này bằng cách tăng planes of the array bằng cách sử dụng page buffer size có sẵn, điều này làm giúp việc đọc và ghi có thể thực hiện song song tốt hơn. Kết quả là X-NAND có thể đạt được mật độ lưu trữ của QLC với tốc độ của SLC. ”
Để giải thích được cách thức mà X-NAND hoạt động cần giải thích ‘planar division’, ‘bit lines’, ‘settling time’ và ‘units of interleaving’. Nếu các bạn thích đào sâu nghiên cứu, có thể đọc thêm tại Tom’s Hardware
Đáng buồn thay, không ai đề cập đến thời điểm nó có thể được tung ra thị trường, vì vậy chúng ta chỉ có thể cất poster vào 1 góc và tự nhủ rằng 1 ngày nào đó có thể lôi nó ra.
0967891080
